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Profil
| Derzeitige Stellung | Professor W-1 und Äquivalente |
|---|---|
| Fachgebiet | Oberflächenphysik |
| Keywords | Model catalysts, Self-organization, Scanning tunneling microscopy , Scanning tunneling spectroscopy, Surface nanostructures |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | Tschechische Republik |
|---|---|
| Ort | Prague 8 |
| Universität/Institution | Charles University |
| Institut/Abteilung | Faculty of Mathematics and Physics, Department of Surface and Plasma Science |
| Website | http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/ |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Prof. Dr. Bert Voigtländer | Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien - ISG 3, Forschungszentrum Jülich GmbH, Jülich |
|---|---|
| Beginn der ersten Förderung | 01.08.2002 |
Programm(e)
| 2002 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm |
|---|
Publikationen (Auswahl)
| 2004 | Neelima Paul, Hidehito Asaoka, Josef Myslivecek, Bert Voigtländer : Growth mechanisms in Ge/Si(111) heteroepitaxy with and without Bi as a surfactant. In: Physical Review B, 2004, 193402 |
|---|---|
| 2004 | Vasily Cherepanov, Sergey Filimonov, Josef Myslivecek, Bert Voigtländer : Scaling of submonolayer island sizes in surfactant-mediated epitaxy of semiconductors. In: Physical Review B, 2004, 085401 |
| 2002 | Josef Myslivecek, Cristoph Schelling, Friedrich Schäffler, Günther Springholz, Pavel Smilauer, Joachim Krug, Bert Voigtländer: On the microscopic origin of the kinetic step bunching instability on vicinal Si(001). In: Surface Science, 2002, 193 |